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    技术实现要素：本发明提供了一种闪存htol测试方法，以解决闪存htol测试中读点失效的问题。本发明提供的闪存htol测试方法，包括：提供待测闪存，所述闪存包括闪存参考单元和闪存阵列单元；所述闪存参考单元中捕获有空穴；对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除，以在所述闪存参考单元中引入电子；对所述闪存进行htol测试，所述引入电子在所述htol测试过程中部分丢失，以对htol测试过程中所述空穴的丢失形成补偿。进一步的，所述闪存参考单元包括衬底、位于所述衬底中的导电沟道、位于所述导电沟道两侧的源极和漏极，位于所述导电沟道上方的栅极单元，所述栅极单元从下到上依次包括隧穿氧化层、浮栅、栅间介质层以及控制栅，所述栅极单元的两侧分布有侧墙。 上海顶策科技有限公司智能HTOL测试机TH801有全程数据记录，让报告更有说服力，下游客户更放心。上海HTOL测试机市面价

包括：将所述源极101和漏极102均悬空，在所述控制栅106上施加***擦除电压vc1，在所述衬底100上施加第二擦除电压vc2；其中，所述***擦除电压vc1为负电压，所述第二擦除电压vc2为正电压。所述***擦除电压vc1的范围为-10v～-8v，本实施例中例如为-9v；所述第二擦除电压vc2的范围为8v～10v，本实施例中例如为9v；擦除过程中的脉冲宽度为10ms～20ms。本实施例中，闪存参考单元的擦除原理是基于fowler-nordheim隧穿(简称为fn隧穿)，通过在衬底100上施加正电压，在控制栅106上施加负电压，以在隧穿氧化层103中注入空穴，同时减少浮栅104中的电子。普陀区HTOL测试机品牌排行榜TH801智能老化系统，监测数据异常自动报警，实时发现问题并介入分析，可以整体降低30~50%的成本。

闪存参考单元包括：衬底100，位于所述衬底中的导电沟道、位于所述导电沟道两侧的源极101和漏极102，位于导电沟道上方的栅极单元，所述栅极单元从下到上依次包括隧穿氧化层103、浮栅104、栅间介质层105以及控制栅106,所述栅极单元的两侧分布有侧墙107。栅间介质层105例如可以为依次层叠的氧化硅层、氮化硅层和氧化硅层的多层结构，即为ono结构。具体的，闪存在其生产工艺过程中易在闪存参考单元的隧穿氧化层103中捕获(引入)空**3为本发明实施例的对闪存参考单元进行编译示意图，如图3所示，对所述闪存参考单元进行编译，包括：在所述源极101上施加***编程电压vb1，在所述漏极102上施加第二编程电压vb2，在所述控制栅106上施加第三编程电压vb3，在所述衬底100上施加第四编程电压vb4；其中，所述***编程电压vb1小于所述第二编程电压vb2；所述第二编程电压vb2小于所述第三编程电压vb3。所述***编程电压的范围为～0v,所述第二编程电压的范围为～，所述第三编程电压vb3的范围为8v～10v,所述第四编程电压vb4的范围为～-1v，编译过程中的脉冲宽度为100μs～150μs。编译通过热电子注入的方式对所述浮栅104中注入电子。

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